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A Workfunction Engineered Middle-Silicon-TiN Gate (MSTG) Cell Transistor in 16Gbit DRAM for High Scalability and Long Data Retention
16Gbit DRAM中的功函数工程中硅锡栅极（MSTG）单元晶体管，具有高可扩展性和长数据保持性
相关领域
锡 德拉姆 材料科学 硅 光电子学 金属浇口 晶体管 MOSFET 逻辑门 电气工程 电子工程 栅氧化层 工程类 冶金 电压
网址
https://doi.org/10.1109/iedm45741.2023.10413732
DOI
10.1109/iedm45741.2023.10413732 doi
其它 期刊：2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)
作者：Seong‐Wan Ryu; Kyung Kyu Min; Sung-Hwan Hwang; Hyun-Min Seung; Sung-Soo Yoon; et al
出版日期：2023-12-09
求助人
thremo 在 2025-06-13 13:25:05 发布自北京，悬赏 10 积分
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