反铁磁性
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作者
Yuncheng Mu,Chengzhi Li,Shu Zhou,Fuhao Xue,Chao Yun,Rui Wu,Xiangguo Li,Yanglong Hou
标识
DOI：10.1002/adma.202519677
摘要
as a rare non-van der Waals 2D antiferromagnetic semiconductor and illustrate that dimensionality-driven MIT offers a viable pathway for engineering robust 2D magnetic semiconductors, providing a new platform for spintronic and multifunctional device applications.
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