ZnO nanowire Schottky barrier ultraviolet photodetector with high sensitivity and fast recovery speed

光电流 光电探测器 紫外线 材料科学 纳米线 光电子学 肖特基势垒 灵敏度(控制系统) 肖特基二极管 光电导性 电子工程 二极管 工程类
作者
Gang Cheng,Xinghui Wu,Bing Liu,Bing Li,Xingtang Zhang,Zuliang Du
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:99 (20) 被引量:221
标识
DOI:10.1063/1.3660580
摘要

ZnO nanowire (NW) ultraviolet (UV) photodetectors have high sensitivity, while the long recovery time is an important limitation for its applications. In this paper, we demonstrate the promising applications of ZnO NW Schottky barrier as high performance UV photodetector with high sensitivity and fast recovery speed. The on/off ratio, sensitivity, and photocurrent gain are 4 × 105, 2.6 × 103 A/W, and 8.5 × 103, respectively. The recovery time is 0.28 s when photocurrent decreases by 3 orders of magnitude, and the corresponding time constant is as short as 46 ms. The physical mechanisms of the fast recovery properties have also been discussed.
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