蒙特卡罗方法
重组
杂质
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统计物理学
物理
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材料科学
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化学
量子力学
数学
基因
统计
图像（数学）
生物化学
人工智能
作者
Lino Reggiani,Paolo Lugli,Vladimir Mitin
摘要
We present an original Monte Carlo procedure to account for generation-recombination noise through impurity centers in semiconductors. Numerical calculations are specialized to the case of holes in Si at 77 K. Results are found to compare favorably with available experiments.
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