GaAs-based resonant tunneling diode: Device aspects from design, manufacturing, characterization and applications

砷化镓 量子隧道 共振隧穿二极管 二极管 光电子学 表征(材料科学) 制作 材料科学 外延 纳米技术 工程物理 电气工程 工程类 物理 光学 量子阱 激光器 病理 医学 替代医学 图层(电子)
作者
Swagata Samanta
出处
期刊:Journal of Semiconductors [IOP Publishing]
卷期号:44 (10): 103101-103101 被引量:6
标识
DOI:10.1088/1674-4926/44/10/103101
摘要

Abstract This review article discusses the development of gallium arsenide (GaAs)-based resonant tunneling diodes (RTD) since the 1970s. To the best of my knowledge, this article is the first review of GaAs RTD technology which covers different epitaxial-structure design, fabrication techniques, and characterizations for various application areas. It is expected that the details presented here will help the readers to gain a perspective on the previous accomplishments, as well as have an outlook on the current trends and future developments in GaAs RTD research.
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