Realizing new 2D spintronic materials from the non-magnetic 1T-PdO2 monolayer through vacancy defects and doping

自旋电子学 空位缺陷 磁性 磁矩 单层 凝聚态物理 磁性半导体 材料科学 磁化 兴奋剂 带隙 掺杂剂 铁磁性 纳米技术 磁场 物理 量子力学
作者
D.M. Hoat,Võ Văn Ớn,Phan Van Huan,J. Guerrero-Sánchez
出处
期刊:RSC Advances [Royal Society of Chemistry]
卷期号:14 (10): 7241-7250 被引量:7
标识
DOI:10.1039/d3ra08866a
摘要

Defect engineering and doping are proposed as efficient approaches to create new 2D multifunctional materials from a non-magnetic semiconductor PdO 2 monolayer.
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