Influence of gate voltage dependent piezoelectric polarization on damage effect of GaN HEMT induced by high power electromagnetic pulse

高电子迁移率晶体管 压电 材料科学 极化(电化学) 光电子学 电压 阈值电压 高压 电气工程 晶体管 工程类 化学 复合材料 物理化学
作者
Lei Wang,Changchun Chai,Fu-Xing Li,Yingshuo Qin,Yintang Yang
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:136: 114665-114665 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2022.114665

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