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异质发射极双极晶体管
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作者
C. Dubon‐Chevallier,F. Alexandre,J.L. Benchimol,J. Dangla,V. Amarger,F. Héliot,R. Bourguiga
出处
期刊：Electronics Letters
[Institution of Engineering and Technology]
日期：1992-12-03
卷期号：28 (25): 2308-2309
被引量：15
摘要
An innovative passivated heterojunction bipolar transistor structure, which enables with the same technological step both base surface passivation and emitter selective etching to be obtained, is reported. This new structure employs an emitter comprising two layers, a thin GaInP layer and a GaAlAs layer.
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