Solution-processable Li-doped transition metal oxide hole-injection layer for highly efficient quantum-dot light-emitting diodes

材料科学 兴奋剂 量子点 二极管 光电子学 发光二极管 氧化物 溶解过程 图层(电子) 过渡金属 纳米技术 冶金 催化作用 生物化学 化学
作者
Jae Seung Shin,Mingye Kim,Jin Hyun,Jun Hyung Jeong,Hui Wung Hwang,Jeong Won Kim,Seong Jun Kang
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:10 (14): 5590-5597 被引量:11
标识
DOI:10.1039/d1tc06117h
摘要

Vanadium oxide (V 2 O 5 ) doped with Li (5, 10, and 15 mol%) was synthesized using an easy and low-cost solution process method and was used as a hole-injection layer (HIL) for quantum-dot light-emitting diodes (QLEDs).
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