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作者
Tai Li,Hao Yang,Minpeng Lei,Guangxin Zhang,Mengmeng Yuan,Guoqiang Lv,Wenhui Ma
出处
期刊:CrystEngComm
[Royal Society of Chemistry]
日期:2025-01-01
卷期号:27 (37): 6225-6240
被引量:1
摘要
The top-seeded solution growth (TSSG) method facilitates the production of large-sized silicon carbide (SiC) single crystals with low defect density.
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