Roughness study on line and space patterning with chemo-epitaxy directed self-assembly

表面光洁度 激光线宽 表面粗糙度 材料科学 线条宽度 直线(几何图形) GSM演进的增强数据速率 光谱密度 光学 光电子学 计算机科学 复合材料 物理 几何学 数学 电信 激光器
作者
Hyo Seon Suh,Viktor Dudash,Gian Lorusso,Chris A. Mack
标识
DOI:10.1117/12.2552354
摘要

For the introduction of directed self-assembly (DSA) process into high volume manufacturing, the roughness of pattern is one of main check points. The focus of this study is to understand the origin of DSA roughness and to discuss the strategies to improve DSA-specific roughness. 3X DSA LiNe flow with PS-b-PMMA was used as a model case. Unbiased line edge roughness (LER) and linewidth roughness (LWR) were measured using power spectral density (PSD) analysis on CDSEM images. We found that low frequency LER is particularly sensitive to the assembly conditions. By optimizing material and process conditions, unbiased LWR was reduced by about 10%, while unbiased LER was reduced by about 15%.
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