E-mode reverse p-i-n junction gate GaN HEMT with high VTH and enhanced gate drive voltage

材料科学 光电子学 高电子迁移率晶体管 电压 逻辑门 宽禁带半导体 栅极电压 电气工程 场效应晶体管 反向偏压
作者
Mao Jia,Bin Hou,Ling Yang,Zhiqiang Xue,Meng Zhang,Mei Wu,Hao Lu,Xitong Hong,Qian Xiao,Xiaohua Ma,Yue Hao
出处
期刊:Science China Information Sciences [Springer Nature]
卷期号:69 (8)
标识
DOI:10.1007/s11432-025-4679-4

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