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Electrolyte-Gated Ruddlesden–Popper Perovskites for Switchable Optoelectronic Universal Logic Gates

材料科学 电解质 光电子学 钙钛矿(结构) 逻辑门 纳米技术 化学 结晶学 计算机科学 电极 物理化学 算法
作者
Tanuj Kumar,Mahesh Kumar,Ramesh Kumar,Prabhanjan Pradhan,Shumile Ahmed Siddiqui,Kaushik Ghosh,Biplab K. Patra,Monojit Bag
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:25 (12): 4961-4968 被引量:4
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.5c00278
摘要

Electrolyte-gated semiconductor devices are the building blocks for next-generation optoelectronics due to their memory effect and slow ion kinetics, mimicking synapses. Halide perovskites have memory effects, mixed electronic and ionic conductivity, and optical responses, which are extremely promising for this application. However, most high-performance halide perovskites are unstable in liquid electrolytes due to solvent intercalation. We have stabilized the Ruddlesden-Popper 2D perovskites by introducing an ion-transporting membrane separator between the thin film and a quasi-solid-state gel electrolyte interface. Here, we demonstrate an electrolyte-gated three-terminal device that operates as a switchable OR, AND, and a universal NOR gate, with one input being electrical and the other being optical, based on negative, zero, and positive gate voltages, respectively. We also demonstrated all electrical XOR gates, electrical and optical NOT, and BUFFER gates using the same. Overall, this work will open new opportunities for halide perovskites and contribute to a deeper understanding of their photophysical properties.
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