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作者
T. Standaert,Genevieve Beique,H.-C. Chen,S.-T. Chen,Bassem Hamieh,J. Lee,P. McLaughlin,Jeffrey M. McMahon,Yann Mignot,Frank W. Mont,K. Motoyama,S. Nguyen,R. Patlolla,B. Peethala,Deepika Priyadarshini,Michael Rizzolo,Nicole Saulnier,H. Shobha,S. Siddiqui,T. Spooner
标识
DOI：10.1109/iitc-amc.2016.7507636
摘要
A 36 nm pitch BEOL has been evaluated for the 7 nm technology node. EUV lithography was employed as a single-exposure patterning solution. For the first time, it is shown that excellent reliability results can be obtained for Cu interconnects at these small dimensions, by using a TaN/Ru barrier system and a selective Co cap.
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