Ultrahigh carrier mobility contributes to remarkably enhanced thermoelectric performance in n-type PbSe

热电效应 电子迁移率 材料科学 光电子学 电子工程 物理 热力学 工程类
作者
Yu Xiao,Liqing Xu,Tao Hong,Haonan Shi,Sining Wang,Xiang Gao,Xiangdong Ding,Jun Sun,Li‐Dong Zhao
出处
期刊:Energy and Environmental Science [Royal Society of Chemistry]
卷期号:15 (1): 346-355 被引量:58
标识
DOI:10.1039/d1ee03339e
摘要

Carrier mobility is a key parameter for thermoelectric performance. A high average ZT value of ∼1.13 can be achieved in n-type PbSe–18%SnS–0.5%Cu at 300–873 K through the rational optimization of carrier mobility.
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