본 논문에서는, 고 전류 소자를 이용한 Regulator IC 설계를 하였다. Regulator의 Pass Tr. 면적을 줄이기 위해 트렌치 게이트 방식의 TDMOSFET를 사용하여 30V급 100mA Regulator IC를 설계하였다. Regulator의 기준 전압 발생 회로는 전원전압과 온도변화에 무관한 밴드-갭 기준 전압 발생회로 설계하였고, 오차 증폭기는 differential pair와 common-source 단으로 구성되는 2단 증폭기를 사용하여 높은 low-frequency gain을 얻게 하였다.