非易失性存储器
铁电性
材料科学
光电子学
存储单元
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晶体管
电介质
电压
作者
Xueqing Li,Juejian Wu,Kai Ni,Sumitha George,Kaisheng Ma,John J. Sampson,Sumeet Kumar Gupta,Yongpan Liu,Huazhong Yang,Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan
出处
期刊：IEEE design & test
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2019-02-27
卷期号：36 (3): 39-45
被引量：32
标识
DOI：10.1109/mdat.2019.2902094
摘要
Editor's note: This article explores the design of high-density, low-power, and high-speed embedded nonvolatile memory arrays exploiting the unique device characteristics of the emerging ferroelectric FETs. -Vivek De, Intel Corporation.
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