Comparative study of zinc oxide and aluminum doped zinc oxide transparent thin films grown by direct current magnetron sputtering

材料科学 薄膜 溅射沉积 陶瓷 溅射 结晶度 兴奋剂 氧化物 腔磁控管 带隙 光电子学 矿物学 冶金 纳米技术 复合材料 化学
作者
M. Suchea,S. Christoulakis,N. Katsarakis,Theofanis N. Kitsopoulos,G. Kiriakidis
出处
期刊:Thin Solid Films [Elsevier BV]
卷期号:515 (16): 6562-6566 被引量:184
标识
DOI:10.1016/j.tsf.2006.11.151
摘要

Pure and aluminum (Al) doped zinc oxide (ZnO and ZAO) thin films have been grown using direct current (dc) magnetron sputtering from pure metallic Zn and ceramic ZnO targets, as well as from Al-doped metallic ZnAl2at.% and ceramic ZnAl2at.%O targets at room temperature (RT). The effects of target composition on the film's surface topology, crystallinity, and optical transmission have been investigated for various oxygen partial pressures in the sputtering atmosphere. It has been shown that Al-doped ZnO films sputtered from either metallic or ceramic targets exhibit different surface morphology than the undoped ZnO films, while their preferential crystalline growth orientation revealed by X-ray diffraction remains always the (002). More significantly, Al-doping leads to a larger increase of the optical transmission and energy gap (Eg) of the metallic than of the ceramic target prepared films.
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