Light-emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer

电致发光 硒化镉 纳米晶 材料科学 光电子学 发光二极管 图层(电子) 工作职能 光发射 半导体 纳米技术 聚合物 二极管 量子点 复合材料
作者
V. L. Colvin,M. C. Schlamp,A.P. Alivisatos,V. L. Colvin,M. C. Schlamp,A.P. Alivisatos
出处
期刊:Nature [Springer Nature]
卷期号:370 (6488): 354-357 被引量:4170
标识
DOI:10.1038/370354a0
摘要

ELECTROLUMINESCENT devices have been developed recently that are based on new materials such as porous silicon1 and semiconducting polymers2,3. By taking advantage of developments in the preparation and characterization of direct-gap semiconductor nanocrystals4–6, and of electroluminescent polymers7, we have now constructed a hybrid organic/inorganic electroluminescent device. Light emission arises from the recombination of holes injected into a layer of semiconducting p-paraphenylene vinylene (PPV)8–10 with electrons injected into a multilayer film of cadmium selenide nanocrystals. Close matching of the emitting layer of nanocrystals with the work function of the metal contact leads to an operating voltage11 of only 4V. At low voltages emission from the CdSe layer occurs. Because of the quantum size effect19–24 the colour of this emission can be varied from red to yellow by changing the nanocrystal size. At higher voltages green emission from the polymer layer predominates. Thus this device has a degree of voltage tunability of colour.
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