External Capacitor-Less Low Drop-Out Regulator With 25 dB Superior Power Supply Rejection in the 0.4–4 MHz Range

电气工程 电容器 电源抑制比 低压差调节器 工艺角 备用电源 CMOS芯片 电压 偏压 开关电源 材料科学 电压调节器 电子工程 跌落电压 工程类
作者
Chang-Joon Park,Marvin Onabajo,José Silva-Martínez
出处
期刊:IEEE Journal of Solid-state Circuits [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:49 (2): 486-501 被引量:187
标识
DOI:10.1109/jssc.2013.2289897
摘要

This paper presents design techniques for a high power supply rejection (PSR) low drop-out (LDO) regulator. A bulky external capacitor is avoided to make the LDO suitable for system-on-chip (SoC) applications while maintaining the capability to reduce high-frequency supply noise. The paths of the power supply noise to the LDO output are analyzed, and a power supply noise cancellation circuit is developed. The PSR performance is improved by using a replica circuit that tracks the main supply noise under process-voltage-temperature variations and all operating conditions. The effectiveness of the PSR enhancement technique is experimentally verified with an LDO that was fabricated in a 0.18 µm CMOS technology with a power supply of 1.8 V. The active core chip area is 0.14 mm², and the entire proposed LDO consumes 80 µA of quiescent current during operation mode and 55 µA of quiescent current in standby mode. It has a drop-out voltage of 200 mV when delivering 50 mA to the load. The measured PSR is better than –56 dB up to 4 MHz when delivering a current of 50 mA. Compared to a conventional uncompensated LDO, the proposed architecture presents a PSR improvement of 34 dB and 25 dB at 1 MHz and 4 MHz, respectively.
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