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  GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with self-upward-polarized AlScN gate dielectrics toward enhancement-mode operation 具有自向上极化AlScN栅极电介质的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）朝向增强模式工作
相关领域
晶体管
材料科学
阈值电压
极化（电化学）
电介质
光电子学
高电子迁移率晶体管
电子
缩放比例
栅极电介质
电压
电气工程
化学
物理
物理化学
量子力学
工程类
几何学
数学
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Si-Meng Chen; Sung‐Lin Tsai; Kazuto Mizutani; Takuya Hoshii; Hitoshi Wakabayashi; et al 出版日期：2022-03-11 |
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