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Impact and Origin of Interface States in MOS Capacitor with Monolayer MoS2 and HfO2 High-k Dielectric |
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期刊:Scientific Reports 作者:Pengkun Xia; Xuewei Feng; Rui Jie Ng; Shijie Wang; Dongzhi Chi; et al 出版日期:2017-01-13 |
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