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 Pressure-Driven Metallicity in Ångström-Thickness 2D Bismuth and Layer-Selective Ohmic Contact to MoS2 Ångström厚度二维铋中的压力驱动金属性及其与MoS2的层选择性欧姆接触
相关领域
欧姆接触
范德瓦尔斯力
铋
材料科学
单层
半导体
肖特基势垒
半金属
肖特基二极管
光电子学
凝聚态物理
制作
纳米技术
过渡金属
金属
化学物理
电接点
电子结构
金属丰度
接触电阻
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期刊：Nano Letters 作者：Shuhua Wang; Shibo Fang; Qiang Li; Yunliang Yue; Zongmeng Yang; et al 出版日期：2025-09-25 |
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