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 Characterization of charge trapping mechanisms in GaN vertical Fin FETs under positive gate bias 正栅极偏压下GaN垂直鳍片场效应晶体管电荷俘获机制的表征
相关领域
俘获
阈值电压
材料科学
电子
光电子学
栅氧化层
电容
氧化物
电压
金属浇口
偏压
化学
物理
晶体管
电极
冶金
量子力学
物理化学
生物
生态学
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Maria Ruzzarin; Carlo De Santi; Francesca Chiocchetta; Min Sun; Tomás Palacios; et al 出版日期：2019-09-01 |
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