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标题
[高分] Comparative Analysis of PBTI Induced Device Degradation in Junctionless and Inversion Mode Multiple-Gate MOSFET
相关领域
MOSFET 材料科学 光电子学 降级（电信） 反演（地质） 双闸门 电子工程 电气工程 工程类 晶体管 地质学 电压 地震学 构造学
网址
https://doi.org/10.6109/jkiice.2013.17.1.151
AI链接 re.krdoi.org
DOI
10.6109/jkiice.2013.17.1.151 doi
其它 期刊：The Journal of the Korean Institute of Information and Communication Engineering
作者：Jin-Su Kim; Jin-Woo Hong; Hye‐Mi Kim; Jae-Ki Lee; Jong‐Tae Park
出版日期：2013-01-31
求助人
凡90星 在 2025-10-16 17:39:20 发布自浙江，悬赏 150 积分
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