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![]() MOCVD法在epi-GaN/α-Al2O3(0001)衬底上异质外延生长正交Ta2O5单晶薄膜
相关领域
材料科学
正交晶系
金属有机气相外延
外延
高分辨率透射电子显微镜
带隙
五氧化二钽
化学气相沉积
分析化学(期刊)
异质结
薄膜
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期刊:Ceramics International 作者:Yong Le; Xiaochen Ma; Di Wang; Hongdi Xiao; Caìna Luan; et al 出版日期:2022-05-31 |
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