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 Atmospheric Pressure Selective Epitaxial Growth of Heavily in-situ Phosphorous-Doped Si(:C) Raised Sources and Drains 相关领域
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期刊：ECS Transactions 作者：Jean‐Michel Hartmann; J. Aubin; Sylvain Barraud; Marie-Pierre Samson 出版日期：2016-08-18 |
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