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 0.021-μm 2 High-Density SRAM in Intel 18A RibbonFET Technology With PowerVia Backside Power Delivery 相关领域
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期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Xiaofei Wang; Gwang Hyeon Baek; Kunal Girish Bannore; Kaushal Pareshbhai Dave; Arash Joushaghani; et al 出版日期：2025-10-28 |
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