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标题
Leakage current in GaN-on-GaN vertical GaN SBDs grown by HVPE on native GaN substrates
在天然GaN衬底上用HVPE生长的GaN-on-GaN垂直GaN SBDs中的漏电流
相关领域
宽禁带半导体 氮化镓 光电子学 材料科学 泄漏（经济） 纳米技术 图层（电子） 宏观经济学 经济
网址
https://doi.org/10.1063/5.0208706
AI链接 doi.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0208706 doi
其它 期刊：AIP Advances
作者：Weiyi Jin; Yumin Zhang; Songyuan Xia; Qizhi Zhu; Yuanhang Sun; et al
出版日期：2024-09-01
求助人
liwei 在 2025-12-03 21:05:44 发布自四川，悬赏 10 积分
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