Dry etch damage anisotropy and damage mitigation using hot H3PO4 in (001) β-Ga2O3 Schottky diodes

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标题	Dry etch damage anisotropy and damage mitigation using hot H3PO4 in (001) β-Ga2O3 Schottky diodes
网址	https://pubs.aip.org/aip/aed/article-pdf/doi/10.1063/5.03112...
DOI	10.1063/5.0311210 doi
其它	期刊：APL Electronic Devices 作者：Steve Rebollo; Wolfgang Buchmaier; Sriram Krishnamoorthy; James S. Speck 出版日期：2026-02-20
求助人	Chen_Sam 在 2026-05-27 16:06:25 发布自广东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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