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 Stochastic Resonance in HfO₂-Based Memristors: Impact of External Noise on the Binary STDP Protocol 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：E. Salvador; R. Rodrı́guez; E. Miranda; J. Martín-Martínez; Antonio Rubio; et al 出版日期：2024-08-09 |
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