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 Atomic layer deposition of Y2O3 and yttrium-doped HfO2 using a newly synthesized Y(iPrCp)2(N-iPr-amd) precursor for a high permittivity gate dielectric 用新合成的Y（iPrCp）2（N-iPr-amd）前驱体原子层沉积Y2O3和钇掺杂的HfO2用于高介电常数栅极电介质
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期刊：Applied Surface Science 作者：Jae‐Seung Lee; Woo‐Hee Kim; Il‐Kwon Oh; Min‐Kyu Kim; Gyeongho Lee; et al 出版日期：2014-01-17 |
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