Effects of Deep Level Defect Variations on Ga2O3/SiC Heterojunction Diodes Due to Post-Annealing Atmosphere

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标题	Effects of Deep Level Defect Variations on Ga2O3/SiC Heterojunction Diodes Due to Post-Annealing Atmosphere
网址	https://doi.org/10.7471/IKEEE.2024.28.1.104
DOI	10.7471/ikeee.2024.28.1.104 doi
其它	期刊：Journal of IKEEE 作者：Seung-Hwan Chung; Myeoung-Chul Shin; Mathieu Jarry; Sang-Mo Koo 出版日期：2024-03-31
求助人	爱吃糖在 2026-06-30 14:35:49 发布自上海，悬赏 10 积分
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