Low density of interface trap states and temperature dependence study of Ga2O3 Schottky barrier diode with p-NiOx termination

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标题	Low density of interface trap states and temperature dependence study of Ga2O3 Schottky barrier diode with p-NiOx termination
网址	https://doi.org/10.1063/5.0082377
DOI	10.1063/5.0082377 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Qinglong Yan; Hehe Gong; Hong Zhou; Jincheng Zhang; Jiandong Ye; et al 出版日期：2022-02-28
求助人	xiaolu 在 2026-07-29 11:10:15 发布自福建，悬赏 10 积分
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