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标题
First Demonstration of an N-Polar InAlGaN/GaN HEMT
N极InAlGaN/GaN HEMT的首次演示
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 宽禁带半导体 氮化镓 材料科学 极地的 电气工程 电压 纳米技术 晶体管 物理 工程类 天文 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/led.2023.3346818
DOI
10.1109/led.2023.3346818 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Robert Hamwey; Nirupam Hatui; Emre Akso; Feng Wu; Christopher Clymore; et al
出版日期：2024-02-27
求助人
大安吉 在 2025-12-06 02:37:08 发布自海南，悬赏 10 积分
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