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标题
CMOS‐Compatible ScAlN Ferroelectric Thin Films with Enhanced Polarization for High‐Performance FeFET Memory and Artificial Synapses
用于高性能FeFET存储器和人工突触的增强极化CMOS兼容ScAlN铁电薄膜
相关领域
材料科学 铁电性 光电子学 极化(电化学) 薄膜 神经形态工程学 CMOS芯片 非易失性存储器 铁电RAM 纳米技术 人工神经网络 计算机科学 化学 机器学习 电介质 物理化学
网址
DOI
10.1002/smtd.202500842 doi
其它 期刊:Small methods
作者:Bingqian Xu; Yao Cai; Zekai Wang; Qinwen Xu; Yuqi Ren; et al
出版日期:2025-06-19
求助人
CLX。 在 2025-09-17 20:31:09 发布自辽宁,悬赏 10 积分
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