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100-V Class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Achieve Optimum RESURF Effect and Ultralow On-resistance |
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期刊:2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者:Kenya Kobayashi; Hiroaki Kato; Toshifumi Nishiguchi; Saya Shimomura; Tetsuya Ohno; et al 出版日期:2019-07-12 |
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