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Photoluminescence and structural properties of unintentional single and double InGaSb/GaSb quantum wells grown by MOVPE 相关领域
光致发光
金属有机气相外延
材料科学
量子阱
半最大全宽
外延
基质(水族馆)
激发
光电子学
激光器
光学
纳米技术
物理
地质学
海洋学
量子力学
图层(电子)
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期刊:Physica B Condensed Matter 作者:Chinedu Christian Ahia; Ngcali Tile; J.R. Botha; E.J. Olivier 出版日期:2017-06-03 |
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