| 标题 |
 Room-temperature quasi-direct bonding of LiNbO3 and SiC wafers using modified surface activated bonding method 相关领域
薄脆饼
材料科学
制作
晶片键合
粘结强度
复合材料
粘结强度
光电子学
阳极连接
声表面波
曲面（拓扑）
梁（结构）
离子束
碳化硅
晶圆制造
电子工程
表面改性
离子
聚焦离子束
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Kosei Matsunobu; Ryo Takigawa 出版日期：2025-03-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
22336
cdercder
Copyright
ale
行走的荷尔蒙
ssfg
帅气爆米花
失眠溪灵
huang
arniu2008
Nole
初景
sagitar
MozzieMiao
yjh123
Oracle
殷勤的紫槐
挖掘机
实验室
皖公网安备34019202002308
