Research on Resistive Switching Mechanism of SnO2/SnS2 Based Heterojunction Memory Devices

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标题	Research on Resistive Switching Mechanism of SnO2/SnS2 Based Heterojunction Memory Devices SnO2/SnS2基异质结存储器件电阻开关机制研究相关领域材料科学异质结光电子学机制（生物学）电阻随机存取存储器纳米技术工程物理非易失性存储器电气工程电压认识论工程类哲学
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdfdirect/10.1002/aelm.2...
DOI	10.1002/aelm.202500037 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Wenbin Liu; Lifang Hu; RuoXuan Zhao; Zhong Yu Hou; Jianjun Tian 出版日期：2025-04-23
求助人	文艺雯在 2025-12-20 13:34:58 发布自重庆，悬赏 10 积分
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