| 标题 |
 High-K materials and metal gates for CMOS applications 用于CMOS应用的高K材料和金属栅极
相关领域
材料科学
金属浇口
栅氧化层
栅极电介质
光电子学
高-κ电介质
等效氧化层厚度
随时间变化的栅氧化层击穿
CMOS芯片
晶体管
氧化物
多晶硅
电介质
阈值电压
电子工程
纳米技术
薄膜晶体管
电气工程
图层（电子）
冶金
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science and Engineering R 作者：John Robertson; Robert M. Wallace 出版日期：2015-02-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
归尘
月子淇
GingerF
xxfsx
tuanheqi
Huzhu
kentonchow
哈基米德
mashibeo
优美的小笨蛋
西风漂流
从容芮
Demon
tianzml0
无极微光
浮游
何柯
ccm
聪慧的正豪
33
diplomat
领导范儿
核桃
ZYP
皖公网安备34019202002308
