| 标题 |
 Physical Insights Into the Impact of p-GaN Sidewall Passivation on Gate Leakage, Threshold Voltage Instability, and Gate Breakdown Behavior in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs 相关领域
材料科学
泄漏（经济）
钝化
光电子学
阈值电压
栅氧化层
随时间变化的栅氧化层击穿
量子隧道
热离子发射
排水诱导屏障降低
MOSFET
接受者
电子
金属浇口
宽禁带半导体
俘获
逻辑门
阈下传导
负偏压温度不稳定性
击穿电压
和大门
撞击电离
电压
地面弹跳
栅极电介质
电子迁移率
氮化镓
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Rasik Rashid Malik; Vipin Joshi; Simran R. Karthik; Rajarshi Roy Chaudhuri; Mayank Shrivastava 出版日期：2026-03-03 |
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