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标题
Sidewall defects in deep cryogenic Si etching in SF6/O2 plasma: a numerical simulation
SF6/O2等离子体深低温Si刻蚀中侧壁缺陷的数值模拟
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网址
https://doi.org/10.1117/12.2522414
DOI
10.1117/12.2522414 doi
其它 期刊：
作者：M. Rudenko; Andrey V. Miakonkikh; Denis Y. Kurbat; В. Ф. Лукичев
出版日期：2019-03-15
求助人
researcher 在 2025-10-14 05:32:55 发布自河北，悬赏 20 积分
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