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 Sidewall defects in deep cryogenic Si etching in SF6/O2 plasma: a numerical simulation SF6/O2等离子体深低温Si刻蚀中侧壁缺陷的数值模拟
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期刊： 作者：M. Rudenko; Andrey V. Miakonkikh; Denis Y. Kurbat; В. Ф. Лукичев 出版日期：2019-03-15 |
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