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 Why In2O3 Can Make 0.7 nm Atomic Layer Thin Transistors 为什么In2O3可以制作0.7 nm原子层薄晶体管
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期刊：Nano Letters 作者：Mengwei Si; Yaoqiao Hu; Zehao Lin; Xing Sun; Adam Charnas; et al 出版日期：2020-12-29 |
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