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First Demonstration of Annealing-Free Atomic-Layer-Deposited In2O3 Top-Gate Devices With Robust Positive/Negative Bias Temperature Instability |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Li-Cheng Teng; Y. Liao; C. Tian; Chien-Chun Chen; Yu-Hsien Lin; et al 出版日期:2026-03-01 |
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