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标题
Study on the Point‐Contact Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with 0.1 μm Gate Length
0.1 μ m栅长点接触栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研究
相关领域
跨导 高电子迁移率晶体管 光电子学 材料科学 晶体管 饱和电流 击穿电压 电气工程 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1002/pssa.202300185
DOI
10.1002/pssa.202300185 doi
其它 期刊：physica status solidi (a)
作者：Shengting Luo; Xianyun Liu; Xingfang Jiang
出版日期：2023-05-05
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orixero 在 2025-12-03 18:18:44 发布自浙江，悬赏 10 积分
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