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标题
Bidirectional Precharge and Negative Bias Scheme for Program Disturbance Suppression in 3-D NAND Flash Memory
相关领域
与非门 计算机科学 算法 方案（数学） 算术 拓扑（电路） 计算机硬件 逻辑门 数学 电气工程 工程类 数学分析
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3325208
DOI
10.1109/ted.2023.3325208 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Kihoon Nam; Chanyang Park; Donghyun Kim; Seonhaeng Lee; Namhyun Lee; et al
出版日期：2023-10-27
求助人
xiuou 在 2026-01-09 18:16:08 发布自青海，悬赏 10 积分
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