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Ohmic contact morphology improvement with reduced resistance using Si/Au/Ti/Al/Ni/Au (AlGaN) and Si/Au/Ti/Al/Ni/Au (InAlN) stack layers in III-Nitride HEMTs
在III族氮化物HEMT中使用Si/Au/Ti/Al/Ni/Au（AlGaN）和Si/Au/Ti/Al/Ni/Au（InAlN）堆叠层改善欧姆接触形态并降低电阻
相关领域
欧姆接触 材料科学 接触电阻 退火（玻璃） 锡 氮化物 光电子学 扩散阻挡层 薄板电阻 表面粗糙度 复合材料 冶金 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac6f79
DOI
10.1088/1361-6641/ac6f79 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Ajay Kumar Visvkarma; Robert Laishram; Sonalee Kapoor; D. S. Rawal; Seema Vinayak; et al
出版日期：2022-05-13
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Masanao 在 2025-12-06 12:56:40 发布自北京，悬赏 10 积分
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