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Improved electrical performance and stability of top-gated indium–tin–zinc–oxide thin-film transistors via oxygen plasma treatment
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网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ae1869
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1088/1361-6641/ae1869 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Jaemin Park; Zhenyuan Xiao; Shaocong Lv; Zhuocheng Yan; Jiawei Zhang; et al
出版日期：2025-10-28
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优秀绮彤 在 2026-10-30 10:12:56 发布自陕西，悬赏 10 积分
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