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  A surface potential analysis method and I–V model of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors incorporating the two lowest subbands 包含两个最低子带的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的表面电位分析方法和I-V模型
相关领域
高电子迁移率晶体管
晶体管
材料科学
光电子学
氮化镓
瓶颈
电压
电子工程
计算机科学
电气工程
纳米技术
工程类
图层（电子）
嵌入式系统
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Bao-qin Zhang; Xia Zeng; Junjie Feng; Jiahui Liu; Gong-yi Huang; et al 出版日期：2024-12-16 |
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